Наши партнеры:



Error. Page cannot be displayed. Please contact your service provider for more details. (19)



ООО "ПОЗИТРОН - ПЛЮС"
sale@electro-chip.ru
www.electro-chip.ru
Серия JQX-115F(HF115F)


Формирование обозначения группы контактов

Посмотреть PDF-файл: >>> 

Характеристики:
Малая высота: 15.7 мм
Максимальный коммутируемый ток: 16А
Конфигурация с 1 и 2 группами контактов
Электрическая прочность изоляции (между обмоткой и контактами): 5000В
Длина пути тока утечки: 10 мм
Доступны в герметичном (IP67) и флюсостойком корпусе
Доступны с RoHS соответствием
Размеры: 29.0 x 12.7 x 15.7 мм

   Информация для заказа
 
      JQX-115F / 012 1H S 1 A F XXX
                 
Серия                
             
Напряжение обмотки 5, 6, 9, 12, 18, 24, 48, 60, 110 В(DC)            
           
Конфигурация контактов 1H: 1A    1D: 1B    1Z: 1C          
2H: 2A    2D: 2B    2Z: 2C          
Конструкция S: герметичная IP67        
без обозн.: флюсостойкая        
Версия 1: 3.5мм 1 гр. конт. 12А    2: 5.0мм 1 гр. конт. 12А      
3: 5.0мм 1 гр. конт. 16А    4: 5.0мм 2 гр. конт. 8А      
Материал контактов А: AgSnO2   B: AgNi    G: AgCdO+Au покрытие    
BG: AgNi+Au покрытие без обозн.: AgCdO    
Изоляция F: Класс F    
без обозн.: Класс B  
Специальный код заказа (Только для специальных требований, таких как 551 безсвинцовые, 555 RoHS совместимые)
Наличие слоя p ограничивает распространение области объемного заряда и его смыкание с электродом катода. В этом случае n-база может быть значительно уже, что обеспечивает относительно низкое динамическое сопротивление.
Для обеспечения равномерного включения структуры по всей ее площади и исключения локальных пробоев при изготовлении р-n переходов используется только эпитаксиальная технология. При туннельном и лавинном пробоях заряды переносятся лишь основными носителями, в результате чего не происходит накопления неосновиых носителей. Этим в основном и определяется быстродействие полупроводниковых ограничителей напряжения.